Барлығымыз білетіндей, мақсатты материал технологиясының даму тенденциясы төменгі ағынды қолданбалы индустриядағы пленка технологиясының даму тенденциясымен тығыз байланысты.Қолдану өнеркәсібіндегі пленка өнімдерінің немесе компоненттерінің технологиялық жетілдірілуімен мақсатты технология да өзгеруі керек.Мысалы, жақында Ic өндірушілері төмен кедергісі бар мыс сымдарын дамытуға баса назар аударды, ол алдағы бірнеше жылда бастапқы алюминий пленкасын айтарлықтай ауыстырады деп күтілуде, сондықтан мыс нысандарын және олардың қажетті кедергі нысандарын әзірлеу өзекті болады.
Сонымен қатар, соңғы жылдары жазық панельді дисплей (FPD) негізінен катодты-сәулелік түтікке (CRT) негізделген компьютерлік дисплей мен теледидар нарығын ауыстырды.Бұл сонымен қатар ITO мақсаттарына техникалық және нарықтық сұранысты айтарлықтай арттырады.Содан кейін сақтау технологиясы бар.Тығыздығы жоғары, үлкен сыйымдылықты қатты дискілерге және тығыздығы жоғары өшірілетін дискілерге сұраныс артуда.Осының барлығы қолданбалы индустрияда мақсатты материалдарға сұраныстың өзгеруіне әкелді.Келесіде біз мақсатты қолданудың негізгі өрістерін және осы салалардағы мақсатты даму тенденциясын таныстырамыз.
1. Микроэлектроника
Барлық қолданбалы салаларда жартылай өткізгіштер өнеркәсібі мақсатты шашыратқыш пленкаларға ең қатаң сапа талаптарын қояды.Қазір 12 дюймдік (300 мұрыннан өту) кремний пластиналары шығарылды.Интерконнекттің ені азайып келеді.Кремний пластинасын өндірушілердің мақсатты материалдарға қойылатын талаптары ауқымды, жоғары тазалық, төмен сегрегация және ұсақ түйіршіктер болып табылады, бұл мақсатты материалдардың жақсырақ микроқұрылымға ие болуын талап етеді.Кристаллдық бөлшектердің диаметрі және мақсатты материалдың біркелкілігі қабықшаның тұну жылдамдығына әсер ететін негізгі факторлар ретінде қарастырылды.
Алюминиймен салыстырғанда, мыстың электромобильділік кедергісі жоғары және төменгі кедергісі бар, ол 0,25 м-ден төмен микронды сымдарда өткізгіш технологиясының талаптарына жауап бере алады, бірақ ол басқа мәселелерді тудырады: мыс пен органикалық орта материалдары арасындағы адгезияның төмен беріктігі.Сонымен қатар, реакцияға оңай, бұл мыс интерконнекторының коррозиясына және чипті пайдалану кезінде тізбектің үзілуіне әкеледі.Бұл мәселені шешу үшін мыс пен диэлектрлік қабат арасында тосқауыл қабатын орнату керек.
Мыстың өзара байланысының тосқауыл қабатында қолданылатын мақсатты материалдарға Ta, W, TaSi, WSi және т.б. жатады. Бірақ Ta және W - отқа төзімді металдар.Оны жасау салыстырмалы түрде қиын, ал молибден мен хром сияқты қорытпалар балама материалдар ретінде зерттелуде.
2. Дисплей үшін
Тегіс панельді дисплей (FPD) көптеген жылдар бойы катодты-сәулелік түтікке (CRT) негізделген компьютер мониторы мен теледидар нарығына қатты әсер етті, сонымен қатар ITO мақсатты материалдарына технология мен нарық сұранысын арттырады.Бүгінгі таңда ITO мақсаттарының екі түрі бар.Біреуі агломерациядан кейін индий оксиді мен қалайы оксиді ұнтағының нанометрлік күйін пайдалану, екіншісі индий қалайы қорытпасының нысанасын пайдалану болып табылады.ITO пленкасы индий-қалайы қорытпасының нысанасына тұрақты реактивті шашырату арқылы жасалуы мүмкін, бірақ мақсатты бет тотығады және шашырау жылдамдығына әсер етеді, сондықтан үлкен өлшемді қорытпа нысанын алу қиын.
Қазіргі уақытта бірінші әдіс негізінен магнетронды шашырату реакциясы арқылы шашыратқыш жабын болып табылатын ITO мақсатты материалын өндіру үшін қабылданған.Оның тез тұндыру жылдамдығы бар.Пленканың қалыңдығын дәл бақылауға болады, өткізгіштігі жоғары, пленканың консистенциясы жақсы және субстраттың адгезиясы күшті.Бірақ мақсатты материалды жасау қиын, өйткені индий оксиді мен қалайы оксиді оңай біріктірілмейді.Әдетте ZrO2, Bi2O3 және CeO агломерациялық қоспалар ретінде таңдалады және теориялық мәннен 93% ~ 98% тығыздығы бар мақсатты материалды алуға болады.Осылайша қалыптасқан ITO пленкасының өнімділігі қоспалармен үлкен байланысқа ие.
Осындай мақсатты материалды пайдалану арқылы алынған ITO пленкасының блоктаушы кедергісі 8,1×10n-см жетеді, бұл таза ITO пленкасының кедергісіне жақын.FPD және өткізгіш шыны мөлшері айтарлықтай үлкен, ал өткізгіш шыны ені тіпті 3133 мм жетуі мүмкін.Мақсатты материалдарды пайдалануды жақсарту үшін цилиндрлік пішін сияқты әртүрлі пішіндері бар ITO мақсатты материалдары әзірленді.2000 жылы Ұлттық дамуды жоспарлау комиссиясы мен Ғылым және технология министрлігі қазіргі уақытта дамуға басымдық берілген ақпараттық индустрияның негізгі бағыттары бойынша нұсқаулықтарға ITO-ның үлкен мақсаттарын енгізді.
3. Сақтауды пайдалану
Сақтау технологиясына келетін болсақ, жоғары тығыздықты және үлкен сыйымдылықты қатты дискілерді әзірлеу үлкен көлемдегі үлкен құлықсыз пленка материалдарын қажет етеді.CoF~Cu көпқабатты композициялық пленка үлкен құлықсыз пленканың кеңінен қолданылатын құрылымы болып табылады.Магниттік дискіге қажетті TbFeCo қорытпасының мақсатты материалы әлі де даму үстінде.TbFeCo көмегімен жасалған магниттік диск үлкен сақтау сыйымдылығы, ұзақ қызмет ету мерзімі және қайталанатын контактісіз өшірілу сипаттамаларына ие.
Сурьма германий теллуридіне негізделген фазалық өзгерістер жадысы (PCM) айтарлықтай коммерциялық әлеуетті көрсетті, NOR флэш-жадының бөлігі болды және DRAM балама сақтау технологиясын нарыққа шығарады, дегенмен іске асыруда тезірек қысқартылған кезде бар болу жолындағы қиындықтардың бірі қалпына келтірудің болмауы болып табылады. ағымдағы өндірісті одан әрі толығымен тығыздалған қондырғыны төмендетуге болады.Қалпына келтіру тогын азайту жад қуатын тұтынуды азайтады, батареяның қызмет ету мерзімін ұзартады және деректер өткізу қабілетін жақсартады, бүгінгі деректерге негізделген, жоғары портативті тұтынушы құрылғыларындағы барлық маңызды мүмкіндіктер.
Жіберу уақыты: 09 тамыз 2022 ж