Кремний негізіндегі фотоника қазіргі уақытта енгізілген байланыстар үшін келесі ұрпақ фотоника платформасы болып саналады.Дегенмен, ықшам және төмен қуатты оптикалық модуляторларды жасау қиын мәселе болып қала береді.Мұнда біз Ge/SiGe қосылған кванттық ұңғымалардағы алып электро-оптикалық әсер туралы хабарлаймыз.Бұл перспективті әсер біріктірілген Ge/SiGe кванттық ұңғымаларындағы электрондар мен саңылаулардың бөлек оқшаулануына байланысты аномальды кванттық Старк эффектісіне негізделген.Бұл құбылыс кремний фотоникасында осы уақытқа дейін әзірленген стандартты тәсілдермен салыстырғанда жарық модуляторларының жұмысын айтарлықтай жақсарту үшін пайдаланылуы мүмкін.Біз сәйкес модуляция тиімділігі VπLπ 0,046 Всм болатын 1,5 В ығысу кернеуінде 2,3 × 10-3 сыну көрсеткішінің өзгерістерін өлшедік.Бұл демонстрация Ge/SiGe материал жүйелеріне негізделген тиімді жоғары жылдамдықты фазалық модуляторларды жасауға жол ашады.
Жіберу уақыты: 06 маусым 2023 ж